二维材料也称范德华材料，单层的二维材料一般仅有原子级的厚度，层与层之间靠范德华力相结合，层内的原子以共价键的形式连接。二维半导体仅有原子级薄的体厚度，因此可以克服短沟道效应，降低漏电和功耗，实现晶体管的进一步微缩，提高集成密度，已经被视为延续摩尔定律的候选材料。然而，原子级薄的体厚度的二维半导体在器件集成和性能调控方面也面临极大挑战，常规的高能量集成工艺（如热蒸发、磁控溅射、原子层沉积和离子注入等）会破坏脆弱的二维晶格（图1a），限制了二维半导体器件的性能及其应用前景。

范德华集成是一种低能量的集成工艺，能够避免集成工艺对二维半导体的晶格产生破坏，在二维材料的异质集成方面具有巨大的应用前景。尤其是间接范德华集成方法，通过将预制备的材料和从牺牲衬底上剥离下来，然后层压到二维半导体上，实现范德华集成（图1b）。在该方法中，所有的高能量的集成工艺均在牺牲衬底上进行，能够避免预制备材料的高能量工艺对二维半导体产生破坏；其次，二维半导体与转移材料的界面为范德华界面，能够有效保证二维半导体的本征性质。